特許
J-GLOBAL ID：200903098081294637
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178539
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373945
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流を減少させ、かつ容量値を増加させることのできる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 上部電極3および下部電極1は、TiN,Ti,W,WN,Pt,Ir,Ruの金属もしくは金属窒化物中から選ばれる少なくとも1つの材料から成り、容量絶縁膜2は、原子層成長(Atomic Layer Deposition:以下、ALDという)法により形成したZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB></SB><SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料から成る。
請求項（抜粋）：
ZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料を容量絶縁膜としたMIM(Metal-Insulator-Metal)構造の容量を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8242
, H01L 21/316
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 27/108
H01L 21/316 P
, H01L 27/10 651
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 681 F
, H01L 27/04 C
5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038DF05
, 5F038EZ20
, 5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BF20
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BH01
, 5F058BH04
, 5F058BH05
, 5F083AD21
, 5F083AD24
, 5F083AD42
, 5F083AD48
, 5F083AD49
, 5F083GA06
, 5F083JA02
, 5F083JA12
, 5F083JA35
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA15
, 5F083KA16
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR21
, 5F083PR33
, 5F083PR40
, 5F083PR52
, 5F083ZA12
