特許
J-GLOBAL ID：200903042316188524

絶縁膜、および半導体装置

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について

, 
山口 豪

山口 豪 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-018482
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210518
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 酸素欠陥量の少ない絶縁膜を提供する。【解決手段】 絶縁膜は、正の価数を有する構成元素の酸化物または酸窒化物を含み、構成元素の価数より大きな価数の添加元素を3×10-8at%以上1.6×10-3at%未満含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
正の価数を有する構成元素の酸化物または酸窒化物を含み、前記構成元素の価数より大きな価数の添加元素を3×10-8at%以上1.6×10-3at%未満含むことを特徴とする絶縁膜。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (5件)：
H01L21/316 Y ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/04 C
Fターム (54件)：
5F038AC05 ,  5F038AC06 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF13 ,  5F058BF31 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083ER22 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F101BA01 ,  5F101BA26 ,  5F101BA28 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BH01 ,  5F101BH02 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BG30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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