化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172567
公開番号（公開出願番号）：特開2006-349374
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】表面のダメージの程度を高精度に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法及び化合物半導体部材の製造方法、並びに、ダメージの程度が小さい窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。【解決手段】化合物半導体基板10の表面10aの分光エリプソメトリ測定を行う。分光エリプソメトリ測定によって得られた光学定数のスペクトルにおいて、化合物半導体基板のバンドギャップに対応する波長を含む波長域におけるスペクトルを用いて、化合物半導体基板10の表面10aのダメージを評価する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体部材の表面の分光エリプソメトリ測定を行う工程と、前記分光エリプソメトリ測定によって得られた光学定数のスペクトルにおいて、前記化合物半導体部材のバンドギャップに対応する波長を含む波長域におけるスペクトルを用いて、前記化合物半導体部材の前記表面のダメージを評価する工程と、を含む、化合物半導体部材のダメージ評価方法。

IPC (5件)：

G01N 21/21 , H01L 21/66 , G01N 21/956 , G01N 21/27 , G01N 21/00

FI (5件)：

G01N21/21 Z , H01L21/66 N , G01N21/956 A , G01N21/27 B , G01N21/00 B

Fターム (31件)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AB07 , 2G051AB20 , 2G051BB07 , 2G051CB01 , 2G051EA14 , 2G051EC04 , 2G059AA02 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE12 , 2G059GG09 , 2G059HH01 , 2G059HH02 , 2G059HH03 , 2G059JJ02 , 2G059JJ19 , 2G059KK01 , 2G059MM01 , 2G059MM04 , 2G059MM10 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA07 , 4M106CB30 , 4M106DH31 , 4M106DH60 , 5F041AA46 , 5F041CA40

引用特許：

出願人引用 (2件)

光学的評価装置,光学的評価方法,半導体装置の製造装置,半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置の管理方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-303808 出願人：松下電器産業株式会社
処理方法及び処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-168649 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (3件)

分光エリプソメータ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-325362 出願人：株式会社堀場製作所
半導体層の評価方法,半導体装置の製造方法及び記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-374021 出願人：松下電器産業株式会社
偏光解析法および測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022623 出願人：新日本製鐵株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

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