特許
J-GLOBAL ID：200903004083130270
ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-166674
公開番号（公開出願番号）：特開2007-310334
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】超大型広視野角超高速応答液晶表示装置を3回のホトリソグラフィー工程で製造する。【解決手段】Gate電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後a-si islandとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。ソース電極とドレイン電極と配向制御電極は、ノーマル露光技術を用いて形成する。パッシベーション層は、マスキングデポジッション法を用いてP-CVD装置で成膜するか、インクジェット塗布法を用いて保護層を局所領域に塗布することで、3回のホトマスク工程で超大型広視野角超高速応答液晶表示用TFTアレイ基板を製造することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
アクティブマトリックス表示装置を構成しているアクティブマトリックス基板の製造方法に関して、下記の4回のホトリソグラフィー工程を用いて製造することを特徴とするTNモード,MVAモード,IPSモード用アクティブマトリックス基板の製造方法。
1.ゲート電極,画素電極,共通電極,画素電極内コンタクトパッド形成.........(第1回ハーフトーン露光法)ハーフトーンホトマスク使用。
2.薄膜半導体層素子分離,コンタクトホール形成.........(第2回ハーフトーン露光法)ハーフトーンホトマスク使用。
3.ソース電極,ドレイン電極,保持容量形成電極形成.........ノーマルホトマスク使用
4.ゲート電極端子部とソース電極端子部と共通電極端子部のコンタクトホール形成.........ノーマルホトマスク使用
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (35件)：
2H092GA14
, 2H092GA25
, 2H092GA29
, 2H092GA42
, 2H092HA04
, 2H092HA12
, 2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA40
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB14
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092JB57
, 2H092JB63
, 2H092JB68
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KA22
, 2H092KA24
, 2H092KB04
, 2H092KB13
, 2H092KB23
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092KB26
, 2H092MA14
, 2H092MA17
, 2H092NA01
, 2H092NA27
, 2H092PA02
, 2H092PA06
, 2H092QA06
