特許
J-GLOBAL ID：200903017341763946
窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072692
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273469
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のp型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。【解決手段】p-GaN光ガイド層901上に開口部を有するSiO<SB>2</SB>マスク902を形成し、その開口部からp-AlGaNクラッド層903を成長させ、さらにその上にp-GaNコンタクト層904が形成する。p-AlGaNクラッド層903は、SiO<SB>2</SB>マスク902開口部から縦方向および横方向に成長することによってリッジ形状をなす。この層構成において、界面1のヘテロ界面近傍のp型不純物密度を以下のように規定する。すなわち、界面1から上方0.1μmにわたるp-GaNコンタクト層904中の領域におけるp型不純物密度をN<SB></SB><SB>1</SB>、上記界面1から上方0.01μmにわたるp-GaNコンタクト層904中の領域におけるp型不純物密度をN<SB>2</SB>としたときにN<SB>1</SB><N<SB>2</SB>、好ましくは1.5×N<SB>1</SB><N<SB>2</SB><20×N<SB>1</SB>とする。
請求項（抜粋）：
n型またはi型の導電型を有する第一のIII族窒化物半導体層と、該第一のIII族窒化物半導体層上に形成されたp型の導電型を有する第二のIII族窒化物半導体層と、を有し、第一のIII族窒化物半導体層と第二のIII族窒化物半導体層との界面から上方0.1μmにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均p型不純物密度をN<SB>1</SB>、前記界面から上方0.01μmにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均p型不純物密度をN<SB></SB><SB>2</SB>としたときにN<SB>1</SB><N<SB>2</SB>であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。
Fターム (12件)：
5F073AA04
, 5F073AA11
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB06
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA29
