特許
J-GLOBAL ID：200903004366215736

回路基板及びその製造方法

発明者：
谷口 佳孝

谷口 佳孝 について

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吉野 信行

吉野 信行 について

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辻村 好彦

辻村 好彦 について

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西村 浩二

西村 浩二 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001154
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208760
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】モジュールを組み立てたときにその放熱特性が良好となる回路基板と、その安価な製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属放熱板が形成されており、該金属回路及び金属放熱板の表面に3〜8μm厚みのNiめっきが施されてなる回路基板において、本発明で定義されたNiめっき膜の結晶性が0.8以下、酸化度が0.6以下であることを特徴とする回路基板。金属回路と金属放熱板に2〜5μm厚みの無電解Ni-Pめっきを行ってから、全Niめっき膜厚が3〜8μmとなるように、無電解Ni-Bめっきを析出速度0.7〜3μm/Hrで施すことを特徴とする回路基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属放熱板が形成されており、該金属回路及び金属放熱板の表面に3〜8μm厚みのNiめっきが施されてなる回路基板において、本発明で定義されたNiめっき膜の結晶性が0.8以下、酸化度が0.6以下であることを特徴とする回路基板。結晶性:X線結晶回折(CuKα2θ)におけるNi(111)面の半価幅。酸化度:X線光電子分光法(ESCA)におけるNi-metalに対するNi-O(Ni-O/Ni-metal)のピーク面積比。
IPC (5件)：
H05K 1/02 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 7/20 ,  C23C 18/32
FI (6件)：
H05K 1/02 Q ,  H05K 1/02 F ,  H05K 3/24 D ,  H05K 3/34 501 F ,  H05K 7/20 C ,  C23C 18/32
Fターム (44件)：
4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA04 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022BA36 ,  4K022CA11 ,  4K022DA01 ,  4K022DB25 ,  4K022DB29 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC16 ,  5E319AC17 ,  5E319AC18 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD04 ,  5E319CD26 ,  5E319GG03 ,  5E319GG15 ,  5E319GG20 ,  5E322AA11 ,  5E322AB09 ,  5E338BB05 ,  5E338CC08 ,  5E338EE02 ,  5E338EE51 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA35 ,  5E343BB01 ,  5E343BB14 ,  5E343BB17 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343DD32 ,  5E343DD33 ,  5E343GG01 ,  5E343GG16 ,  5E343GG18
引用特許：
審査官引用 (7件)
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