高誘電膜を備えた半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395448
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100908
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】高集積半導体素子で要求される電気容量を十分に確保しながら、膜内不純物残留による漏れ電流特性及び誘電特性劣化を防止することに最適の誘電膜を備える半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウムが含まれた第1誘電膜22A、63Aと、前記第1誘電膜上に積層され、前記第1誘電膜より高誘電率を有する第2誘電膜22B、63Bとを含む二重誘電膜を有する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムが含まれた第1誘電膜と、前記第1誘電膜上に積層され、前記第1誘電膜より高誘電率を有する第2誘電膜とを含む二重誘電膜を有することを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/318 A , H01L 21/318 C , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (67件)：

5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF12 , 5F058BF64 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ04 , 5F083AD21 , 5F083AD24 , 5F083AD60 , 5F083AD62 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA28 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA19 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR16 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F140AA19 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BG28 , 5F140BG30

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭57-045968
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-271409 出願人：シヤープ株式会社
半導体装置のキャパシタ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-288307 出願人：三星電子株式会社

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