特許
J-GLOBAL ID：200903004601865913
スパッタリングターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-076450
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277925
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】【課題】 再付着膜やノジュールに起因するダスト・パーティクルを低減することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 スパッタリングターゲットの被スパッタ面に磁界の強い領域と磁界の弱い領域とが形成された状態で膜形成がなされるマグネトロンスパッタリング装置に使用されるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの被スパッタ面は、磁界の強い領域部分を厚くするとともに、磁界の強い領域部分から磁界の弱い領域部分に向かうにつれて厚みが薄くなるようにテーパ状に凹部が形成されるようにする。
請求項（抜粋）：
スパッタリングターゲットの被スパッタ面に磁界の強い領域と磁界の弱い領域とが形成された状態で膜形成がなされるマグネトロンスパッタリング装置に使用されるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットの被スパッタ面は、磁界の強い領域に面する部分を厚くするとともに、磁界の強い領域に面する部分から磁界の弱い領域に面する部分に向かうにつれて厚みが薄くなるようにテーパ状に凹部が形成されたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 B
, H01L 21/285 S
4K029BD02
, 4K029DC12
, 4K029DC39
, 4M104DD40
, 4M104HH20
