特許
J-GLOBAL ID：200903004650033540

III族窒化物エピタキシャル基板及びその使用方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
中村 幸則

中村 幸則 について

, 
田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266804
公開番号（公開出願番号）：特開2002-187800
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】Al含有III族窒化物下地膜を具えるエピタキシャル基板において、前記下地膜の酸化を防止するとともに、このようにして酸化防止効果が付与されたエピタキシャル基板の使用方法を提供する。【解決手段】サファイア・SiCなどの単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長により形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜と、このIII族窒化物下地膜上に形成された、好ましくは50Å以上の厚さを有するGaN膜とを具えたIII族窒化物エピタキシャル基板である。また、このIII族窒化物エピタキシャル基板上に、III族窒化物膜を形成する際においては、前記GaN膜の酸化した表面層部分をエッチング除去した後に、連続して実施する。
請求項（抜粋）：
単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長により形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜と、このIII族窒化物下地膜上に形成されたInaGabN膜(a+b=1)とを具えることを特徴とする、III族窒化物エピタキシャル基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FG01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA01 ,  5F045HA13
引用特許：
審査官引用 (6件)
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