特許
J-GLOBAL ID：200903004707921855

発光素子

発明者：
山田 雅人

山田 雅人 について

, 
高橋 雅宣

高橋 雅宣 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357062
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123409
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 発光層部成長用の光吸収性化合物半導体基板を素子の一部として用いつつ、該基板側への発光光束も外部へ取り出すことが可能となり、光取出し効率を大幅に高めることができる発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子100は、発光層部24を有した化合物半導体層40が光吸収性化合物半導体基板の第一主表面上にエピタキシャル成長されている。また、化合物半導体層40の第一主表面側に光取出面EAが形成されるとともに、光取出側電極9が光取出面EAの一部を覆うように形成されている。そして、主光取出面EAの直下部分の少なくとも一部が切り欠き対象部となり、かつ、該切欠きの結果として生ずる残留基板部1に光取出側電極9の直下部分の少なくとも一部が含まれるように光吸収性化合物半導体基板に切欠き部1jを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層部を有した主化合物半導体層が光吸収性化合物半導体基板の第一主表面上にエピタキシャル成長され、前記主化合物半導体層の第一主表面の一部領域を主光取出面とし、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための光取出側電極が、前記主化合物半導体層の第一主表面の一部を覆う形で形成された発光素子において、 前記主光取出面の直下部分の少なくとも一部が切り欠き対象部となり、かつ、該切欠きの結果として生ずる残留基板部に前記光取出側電極の直下部分の少なくとも一部が含まれるように前記光吸収性化合物半導体基板に切欠き部を形成したことを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 B ,  H01L33/00 N
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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