特許
J-GLOBAL ID：200903004754886219

半導体装置及びその製造方法

発明者：
合田 晃

合田 晃 について

, 
野口 充宏

野口 充宏 について

, 
竹内 祐司

竹内 祐司 について

, 
間 博顕

間 博顕 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380656
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188252
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 微細で信頼性の高い配線コンタクト構造を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に、素子分離領域により区画された複数の素子領域が形成され、半導体基板を覆う層間絶縁膜に各素子領域に接続される導電体プラグ105が埋め込まれ、層間絶縁膜上に形成されて各導電体プラグ105に接続される配線層106が形成される半導体装置において、導電体プラグ105は、配線層106の長手方向と直交する方向に一列に整列して配置され且つ、配線層106の長手方向の2辺a1,a2と、これと直交する方向の2辺b1,b2を持つ矩形パターンを持って形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板に素子分離領域により区画された複数の素子領域と、これらの素子領域が形成された前記半導体基板を覆う層間絶縁膜に埋め込まれて前記各素子領域またはこれに接続された導体層に接続される導電体プラグと、前記層間絶縁膜上に形成されて前記各導電体プラグに接続される配線層とを有する半導体装置において、前記導電体プラグは、前記配線層の長手方向と直交する直線上にその直線と導電体プラグ上面とが重なる状態で前記配線層と同じピッチで配列され且つ、前記導電体プラグを前記半導体基板の主面に平行な面で切断した切断面の重心を通る割線と切断面端との二つの交点間の距離をコンタクト径と定義したとき、前記割線を切断面内で360°回転する間にコンタクト径が3つ以上の極大値と3つ以上の極小値を持つことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 21/28 U ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/62 G ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (135件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD72 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033NN32 ,  5F033NN33 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033UU01 ,  5F033UU04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14 ,  5F033XX15 ,  5F033XX21 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34
引用特許：
審査官引用 (12件)
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