半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163817
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018082
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 CODを防ぎ、高出力で高信頼性の半導体レーザ素子を提供する。【構成】化合物半導体基板1上に設けられた、活性層5をクラッド層3、7で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層5上に設けられた電流非注入領域8aと、前記出射端面上に積層された、活性層5よりもバンドギャップが大きい半導体層11とを備える。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に設けられた、活性層をクラッド層で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層上に設けられた電流非注入領域と、前記出射端面上に積層された、活性層よりもバンドギャップが大きい半導体層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-046976 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-031398 出願人：日本電気株式会社
特開平3-153090

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