特許
J-GLOBAL ID：200903004899705204

電子線、EUV光又はX線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046087
公開番号（公開出願番号）：特開2005-234434
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】電子線、X線、あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、更に(C)特定の化合物を含有し、且つ(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を該ポジ型レジスト組成物の全固形分中に5〜20質量%の濃度で含有する電子線、EUV光又はX線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、 更に、下記の(C1)〜(C3)から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含有し、且つ(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を該ポジ型レジスト組成物の全固形分中に5〜20質量%の濃度で含有することを特徴とする電子線、EUV光又はX線用ポジ型レジスト組成物。 (C1)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する分子量1500以下の化合物、 (C2)分子量1000以下のアルカリ現像液に可溶な多価フェノール化合物及び (C3)-(OCH2CH(R1))n1OR2基(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表し、R2は、水素原子又は1価の有機基を表し、n1は、1〜10の整数を表す)を有する分子量2000以下の化合物。
IPC (6件)：
G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  H01L21/027
FI (6件)：
G03F7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
Fターム (45件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04R ,  4J100BA11P ,  4J100BA12P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA40Q ,  4J100BB01Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC42P ,  4J100BC43P ,  4J100BC44P ,  4J100BC49P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許2003/0017425号公報
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM