高分子化合物の製造方法及びレジスト材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-174951
公開番号（公開出願番号）：特開2005-008766
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護反応を行うことを特徴とする下記一般式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。【化1】【化2】【効果】本発明の製造方法により得られた高分子化合物は、その分子量分布が従来の製造方法で得られるものよりも狭く、また、これら高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、レジスト膜の溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが少ない特性を示す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護反応を行うことを特徴とする下記一般式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。

IPC (4件)：

C08F8/12 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4件)：

C08F8/12 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (25件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07 , 4J100BA02 , 4J100BA03 , 4J100BA20 , 4J100CA03 , 4J100CA05 , 4J100HA08 , 4J100HB25 , 4J100HB52 , 4J100HC27 , 4J100HE14 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

化学的に増幅されたレジストの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-021805 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-097139 出願人：日本ゼオン株式会社
化学増幅型ポジ型感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-300457 出願人：クラリアントジャパン株式会社

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