特許
J-GLOBAL ID：200903004938863599
化合物半導体層の形成方法、化合物半導体装置、および化合物半導体装置を用いたシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253738
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150398
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 良好な発光特性を有する、V族元素の砒素を含むIII-V族化合物半導体に窒素を混晶化したIII-V族化合物半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上に、V族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に、V族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料とともにアルミニウム原料を同時に該単結晶基板上に供給する工程を包含する、化合物半導体層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 33/00
, H01S 5/343
H01L 21/205
, H01L 21/203 M
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18 677
