半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116915
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313803
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】コンタクト抵抗を上昇させることなく、シリコンナイトライド膜端部の転位を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。【解決手段】異方性のドライエッチングにより、シリコン基板1が5nm〜20nm程度オーバエッチングされる。その後、希釈したHFにより酸化膜10を3nm以上、基板1の表面方向に後退させる。酸化膜10の後退量はHFの量とエッチングの時間とにより決定される。シリコンナイトライド膜12とシリコン基板1との間に配置される酸化膜10をゲート酸化膜の方向に向かって後退させ、シリコンナイトライド膜12のシリコン基板1に対する応力集中をシリコン基板1の角部から移動させる。これにより、コンタクト抵抗を上昇させることなく、シリコンナイトライド膜端部の転位を防止することが可能な半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のゲート電極側壁にシリコンナイトライド膜が堆積され、このシリコンナイトライド膜と上記基板との間にシリコン酸化膜が配置されるゲート電極構造を有する半導体装置において、上記シリコン酸化膜は、シリコンナイトライド膜端部より、少なくとも3nm後退されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 L , H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 P

Fターム (24件)：

4M104BB01 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 5F140AA08 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ04 , 5F140BJ21 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK27 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016538 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099437 出願人：富士通株式会社
金属ケイ化物接点の形成方法及び金属ケイ化物接点を備える構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-243160 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション

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