オゾン処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：橋本剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022682
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217232
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】プロセス温度等の条件によらずオゾンガスの酸化力を最大限に引き出す。【解決手段】オゾンガスによって処理される被処理物を格納する処理室10を設け、処理室10内にオゾンガス供給部11及びオゾンガス排出部12を対向配置してオゾンガスを流通させるオゾン流通部を形成し、処理室10内において前記被処理物を支持し且つ前記被処理物の処理表面が前記オゾンガス流通部に曝された状態で前記被処理物をオゾンガスの流通と平行に移動させる移動手段16を設ける共に、前記被処理物を加熱する加熱部162を設け、移動手段16の動作によって前記被処理物の表面を順次オゾンガス流通部に曝して前記被処理物表面全体をオゾン処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

オゾンガスによって処理される被処理物を格納する処理室を設け、この処理室内にオゾンガス供給部及びオゾンガス排出部を対向配置してオゾンガスを流通させるオゾン流通部を形成し、前記処理室内において前記被処理物を支持し、且つ前記被処理物の処理表面が前記オゾンガス流通部に曝された状態で前記被処理物をオゾンガスの流通と平行に移動させる移動手段を設け、前記被処理物を加熱する加熱部を設け、前記移動手段の動作によって前記被処理物の表面を順次オゾンガス流通部に曝して前記被処理物表面全体をオゾン処理することを特徴とするオゾン処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 , H01L21/3065

FI (2件)：

H01L21/31 E , H01L21/302 104H

Fターム (18件)：

5F004AA14 , 5F004BA19 , 5F004BB26 , 5F004BC07 , 5F004BD01 , 5F004DA27 , 5F004DB00 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC00 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EK01 , 5F045EK25

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232411 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-164405 出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
オゾン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-325825 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

審査官引用 (1件)

オゾン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-284918 出願人：住友精密工業株式会社

前のページに戻る