急速加熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鈴木正次 , 涌井謙一 , 山本典弘 , 鈴木一永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059931
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】この発明の目的は、半導体デバイスの製造における半導体産業で使用され、基板の上に堆積されている膜を加熱するために用いられる電力のIR放射への変換効率が改善されていて、より正確な温度制御性能と、広い基板にわたっての均一性が得られる急速加熱処理(RTP)装置を提供する。【解決手段】ガス導入口とガス排出口とを有するチャンバと、チャンバ内に備えられている基板ホルダーと、チャンバに備えられている赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードとを備えてなるRTP装置であって、基板ホルダーの上に配置されている基板が赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードから発光された赤外線によって高温に加熱されるRTP装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガス導入口とガス排出口とを有するチャンバと、チャンバ内に備えられている基板ホルダーと、チャンバに備えられている赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードとを備えてなる急速加熱処理装置であって、基板ホルダーの上に配置されている基板が赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードから発光された赤外線によって高温に加熱される急速加熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/268 J , H01L21/268 Z , H01L33/00 Z

Fターム (1件)：

5F041FF16

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-301164 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社

審査官引用 (5件)

熱処理装置および熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-265373 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体基板の処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-071050 出願人：株式会社日立製作所
基板熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-373629 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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