特許
J-GLOBAL ID：200903005105204920
分子素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336439
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153245
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】金属内包フラーレンの方向を制御することで、多値スイッチや各種書き換え可能な論理素子を実現する分子素子を提供する。【解決手段】分子素子10は、第1の電極2と第1の電極上に配置した第1の自己組織化単分子膜4と第2の電極3と第2の電極上に配置した第2の自己組織化単分子膜5と第1の自己組織化単分子膜及び第2の自己組織化単分子膜5間に配置した金属内包フラーレン6とを備え、金属内包フラーレン6と第1の電極2との間に第1の自己組織化単分子膜4を介して第1のトンネル接合8を形成し、金属内包フラーレンと第2の電極3との間に第2の自己組織化単分子膜5を介して第2のトンネル接合9を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、該第1の電極上に配置される第1の自己組織化単分子膜と、第2の電極と、該第2の電極上に配置される第2の自己組織化単分子膜と、上記第1の自己組織化単分子膜と第2の自己組織化単分子膜との間に配置される金属内包フラーレンと、を備え、
上記金属内包フラーレンと第1の電極との間には上記第1の自己組織化単分子膜を介して第1のトンネル接合が形成され、
上記金属内包フラーレンと第2の電極との間には上記第2の自己組織化単分子膜を介して第2のトンネル接合が形成され、
上記金属内包フラーレンに印加する電界で、上記金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御することを特徴とする、分子素子。
IPC (5件)：
H01L 29/66
, H01L 51/30
, H01L 51/05
, B82B 1/00
, H01L 29/06
H01L29/66 S
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 100A
, B82B1/00
, H01L29/06 601N
