特許
J-GLOBAL ID：200903005110804170

裏面照射型撮像素子及びこれを備えた撮像装置及び裏面照射型撮像素子の製造方法

発明者：
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-281544
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103368
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】微細化に有利で且つ青感度の低下を防ぐことが可能なオーバーフロードレイン機構を有する裏面照射型撮像素子を提供する。【解決手段】p基板30の裏面側から光を照射し、前記光に応じてp基板30内で発生した電荷をp基板30の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子100であって、p基板30内のp基板30表面近傍の同一面上に形成された前記電荷を蓄積するための複数のn層4と、複数のn層4の各々とp基板30の表面との間に形成され且つp基板30表面に露出する露出面を有する不純物拡散層であって、複数のn層4の各々に蓄積される不要な電荷を排出するためのオーバーフロードレインとして機能する複数のn+層6と、複数のn+層6の各々と複数のn層4の各々との間に形成され、オーバーフロードレインのオーバーフローバリアとして機能する複数のp+層5と、複数のn+層6の各々の露出面に接続された電極7とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、 前記半導体基板内の前記半導体基板表面近傍の同一面上に形成された前記電荷を蓄積するための第一導電型の複数の第一の不純物拡散層と、 前記複数の第一の不純物拡散層の各々と前記半導体基板の表面との間に形成され且つ前記表面に露出する露出面を有する前記第一導電型の第二の不純物拡散層であって、前記複数の第一の不純物拡散層の各々に蓄積される不要な電荷を排出するためのオーバーフロードレインとして機能する複数の第二の不純物拡散層と、 前記複数の第二の不純物拡散層の各々と前記複数の第一の不純物拡散層の各々との間に形成され、前記オーバーフロードレインのオーバーフローバリアとして機能する前記第一導電型の反対の第二導電型の複数の第三の不純物拡散層と、 前記複数の第二の不純物拡散層の各々の露出面に接続された電極とを備える裏面照射型撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 9/07
FI (2件)：
H01L27/14 B ,  H04N9/07 A
Fターム (28件)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118FA12 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB11 ,  4M118GB13 ,  4M118GC07 ,  4M118GD02 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024GX24 ,  5C024GY05 ,  5C024GZ02 ,  5C065BB01 ,  5C065CC01 ,  5C065DD08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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