特許

J-GLOBAL ID：200903005227856898

半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 一明 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-400581
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064449
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 特性等に悪影響を与えること無くゲート電極の仕事関数を調整する。【解決手段】 第1の領域に設けられた第1導電型MISトランジスタ及び第2の領域に設けられた第2導電型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、第1の領域に設けられた第1のゲート絶縁膜102と、第1のゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電部111と、第2の領域に設けられた第2のゲート絶縁膜102と、第2のゲート絶縁膜上に設けられた第2の導電部111とを備えた構造であって、第1の導電部及び第2の導電部が同一の導電膜で形成され、第1の導電部の底部の仕事関数及び第2の導電部の底部の仕事関数が等しい構造を形成し、第2の導電部上にメッキ法によって第3の導電部113を形成し、第3の導電部に含まれた金属元素を第2の導電部に拡散させて、第2の導電部の底部の仕事関数を変化させる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1の領域に設けられた第1導電型MISトランジスタ及び第2の領域に設けられた第2導電型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、 前記第1の領域に設けられた第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電部と、前記第2の領域に設けられた第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に設けられた第2の導電部とを備えた構造であって、前記第1の導電部及び第2の導電部が同一の導電膜で形成され、前記第1の導電部の底部の仕事関数及び前記第2の導電部の底部の仕事関数が等しい構造を形成する工程と、 前記第2の導電部上にメッキ法によって第3の導電部を形成する工程と、 前記第3の導電部に含まれた金属元素を前記第2の導電部に拡散させて、前記第2の導電部の底部の仕事関数を変化させる工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L21/8238 ,  C23C18/16 ,  C25D7/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (8件)：

H01L27/08 321D ,  C23C18/16 B ,  C25D7/12 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 M ,  H01L29/78 301G

Fターム (159件)：

4K022AA05 ,  4K022BA10 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB25 ,  4K022DB26 ,  4K024AA01 ,  4K024AA12 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD21 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD55 ,  4M104DD66 ,  4M104DD75 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH26 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033LL01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA20 ,  5F048DA21 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF32 ,  5F140BF38 ,  5F140BG04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG39 ,  5F140BG40 ,  5F140BG41 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-306457   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182648   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248331   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-031927   出願人：ソニー株式会社