特許
J-GLOBAL ID：200903005231124346

窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法

発明者：
中島 博

中島 博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243158
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087565
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】インジウム組成が高く、結晶性の良好な発光層を有するダブルヘテロ構造を備えた、青色から緑色発光用の窒化ガリウム系半導体発光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】本方法では、第1成長工程で、キャリアガスとして水素ガスを、窒素原料としてNH3 ガスを用い、MOCVD法により、成長温度約1000°Cで、n-GaN基板12上に、n-GaNバッファ層14、n-Al0.08Ga0.92Nクラッド層16、及びn-GaNガイド層18を、順次、成長させる。第2成長工程で、キャリアガスを窒素ガスに切り替え、成長温度を700°Cに下げて、n-In0.02Ga0.98N/n-In0.2 Ga0.8 N/n-In0.02Ga0.98NMQW活性層20を成長させる。次いで、第3成長工程で、キャリアガスを水素ガスに切り替えると同時に、NH3 ガスの供給を停止し、窒素原料としてジメチルヒドラジンを供給しながら、成長温度を800°Cにあげ、p-GaNガイド層22、p-Al0.07Ga0.93Nクラッド層24、及びp-GaNコンタクト層26を順次成長させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、順次、MOCVD法により、インジウムを実質的に含まない第1の窒化ガリウム系化合物半導体層、インジウムを含有する第2の窒化ガリウム系化合物半導体層、及びインジウムを実質的に含まない第3の窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造を形成する工程を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、 窒素原料としてNH3 を用い、900°Cを越える成長温度でMOCVD法により第1の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、 次に、窒素原料としてNH3 を用い、900°C以下の第1の成長温度でMOCVD法により第2の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、 次に、窒素原料としてNH3 以外の有機窒素化合物を用い、第1の成長温度以上900°C以下の成長温度でMOCVD法により第3の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 610
Fターム (18件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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