3-5族化合物半導体と発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321339
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】結晶性が高く、高品質の3-5族化合物半導体及びこれを用いた発光効率が高い発光素子を提供する。【解決手段】歪層2及びn型層1とn型層3からなる下地層と、2つの電荷注入層4と6が発光層5を挟んで接してなる量子井戸構造からなる層と、p型層7とをこの順に積層したものである。n型層1又はn型層3にn電極、p型層7にp電極を設け、順方向に電圧を加えることで電流が注入され、発光層5からの発光が得られ、発光素子が得られる。電荷注入層4又は電荷注入層6に高濃度にドーピングを行なうと、これらの層の結晶性が低下することがある。結晶性を低下させない不純物の濃度範囲としては、好ましくは1×1018cm-3以下、更に好ましくは1×1017cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

基板の上に少なくとも発光層と電荷注入層とを有し、該発光層は一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であり、該電荷注入層は一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中、0≦x’≦1、0≦y’≦1、0≦z’≦1、x’+y’+z’=1)で表され、該発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体であり、該発光層は2つの電荷注入層に挟まれて接してなる3-5族化合物半導体において、発光層と基板との間に、少なくとも3層からなる下地層を有し、該下地層を形成する層は一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される3-5族化合物半導体であり、該下地層中の少なくとも1つの層がこれよりInN混晶比の小さな2つの層に挟まれて接してなり、該少なくとも1つの層のInN混晶比が、該層に基板側から接する層のInN混晶比より0.05以上大きく、かつ該InN混晶比の小さな2つの層のうち基板側の層と発光層との間の少なくとも1つの層にn型不純物がドープされてなることを特徴とする3-5族化合物半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-227679 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-305281 出願人：日亜化学工業株式会社
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114541 出願人：日亜化学工業株式会社

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