特許
J-GLOBAL ID：200903005368658062

半導体装置とその製造方法

発明者：
篠原 利彰

篠原 利彰 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033707
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237562
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 放熱特性を改善しつつ、絶縁耐圧を維持する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 リードフレーム2aは、ダイパッド部3とインナーリード部4とを有している。パワー素子1は、リードフレーム2aのダイパッド部3に搭載され、半田9でダイパッド部3と接合されている。また、パワー素子1の電極(図示せず)は、リードフレーム2bのインナーリード部4とアルミワイヤ8によって接続されている。金属ブロック5はその表面に凸部を有しており、その凸部がパワー素子1と対向するようにリードフレーム2aに接合されている。樹脂パッケージ6は、リードフレーム2aと反対側の面で金属ブロック5に絶縁層7を形成しつつ、パワー素子1,リードフレーム2a,2b及び金属ブロック5を封止している。そして、外部放熱器11は、金属ブロック5と反対側の面で絶縁層7に取り付けられている。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子を搭載する第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面とを有するリードフレームと、前記リードフレームの前記第2の面に設けられた金属ブロックと、前記リードフレームとは反対側で前記金属ブロックに設けられた絶縁層と、前記リードフレームの前記第2の面と前記金属ブロックとの間に介在し、前記絶縁層よりも熱伝導が良好な接合材とを備える半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/29 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件)：
H01L 23/50 F ,  H01L 23/36 A ,  H01L 25/04 C
Fターム (15件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BC24 ,  5F036BE01 ,  5F067AA03 ,  5F067AB02 ,  5F067BA03 ,  5F067BD01 ,  5F067CA02 ,  5F067CB08 ,  5F067CC09 ,  5F067DA05 ,  5F067EA04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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