特許
J-GLOBAL ID：200903005430005020
ガス供給系及び処理システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-191216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140328
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】材料貯留槽内で発生させた原料ガスを、ほとんど圧力損失を生ぜしめることなく処理装置内へ供給することが可能な処理システムを提供する。【解決手段】被処理体Wに対して所定の処理を施すために処理容器26内に蒸気圧の低い金属化合物材料Mよりなる所定の原料ガスを噴射するガス噴射手段42を設けた処理装置22と、前記ガス噴射手段に前記所定の原料ガスを供給するガス供給系24とを有する処理システムにおいて、前記ガス噴射手段はシャワーヘッド部であり、前記ガス供給系は、前記シャワーヘッド部より上方に延びるガス通路56と、前記ガス通路の上端部に取り付けられて内部に前記金属化合物材料を収容する材料貯留槽58と、前記ガス通路を開閉する開閉弁60と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理体に対して所定の処理を施すために蒸気圧の低い金属化合物材料よりなる所定の原料ガスを処理装置へ供給するガス供給系において、
前記処理装置に延びるガス通路と、
前記ガス通路の一端に取り付けられて内部に前記金属化合物材料を収容する材料貯留槽と、
前記材料貯留槽に接続されて材料貯留槽にキャリアガスを導入するための第1のキャリアガス供給手段と、
を有し、
前記第1のキャリアガス供給手段は、前記材料貯留槽の底部に設けたガス拡散室と、前記ガス拡散室を区画すると共に多数のガス噴射孔を有するガス噴射板とよりなることを特徴とするガス供給系。
IPC (3件)：
H01L21/31
, C23C16/455
, H01L21/285
H01L21/31 B
, C23C16/455
, H01L21/285 C
4K030BA01
, 4K030BA38
, 4K030BA42
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 5F045AA03
, 5F045AB31
, 5F045AB40
, 5F045AC16
, 5F045AD01
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045BB01
, 5F045DQ10
, 5F045EE02
, 5F045EE04
, 5F045EE12
, 5F045EE14
, 5F045EE17
, 5F045EK07
, 5F045GB05
, 5F045GB06
