特許

J-GLOBAL ID：200903005486282980

CMOSイメージ・センサ

発明者： 王 文徳 ,  楊 敦年 ,  伍 壽國 ,  喩 中一
出願人/特許権者： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
代理人 (4件)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000869
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237576
出願日： 2006年01月05日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】クロストークを防止、或いは、減少させる遮光体を有するイメージ・センサを提供する。【解決手段】CMOS撮像装置用の遮光体110を提供するシステムおよび方法を提供する。この遮光体110は、感光素子112と隣接する回路との間の地点を覆って形成される構造体から成る。この構造体は、感光素子112の上を覆って誘電体層212に形成された、金属,合金,金属化合物,若しくはそれと同等の遮光材料から形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に設けた感光素子と、 前記基板上に形成される一乃至複数の誘電体層と、 複数の前記誘電体層に形成され、前記感光素子と隣接する回路との間の地点を覆って配置され、かつ前記複数の誘電体層を貫通して形成される少なくとも単一のプラグを備えた導電性材料と、から構成されることを特徴とするCMOSイメージ・センサ。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (16件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB14 ,  4M118GB19 ,  4M118GC07 ,  4M118GD15 ,  5C024CX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• CMOSイメ-ジセンサ-及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053234   出願人：現代電子産業株式会社

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-078028   出願人：シャープ株式会社
• 特開平3-183166
  
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-087127   出願人：セイコーエプソン株式会社
• CMOSイメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-000864   出願人：イーストマンコダックカンパニー
• CMOSイメージセンサー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-142256   出願人：三星電子株式会社