特許
J-GLOBAL ID:200903030558113890

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-114084
公開番号(公開出願番号):特開2007-114728
出願日: 2006年04月18日
公開日(公表日): 2007年05月10日
要約:
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】一般式(a)及び(b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するするポジ型レジスト材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも下記一般式(a)及び(b)
IPC (3件):
G03F 7/039 ,  C08F 220/18 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L21/30 502R
Fターム (37件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07R ,  4J100BC07S ,  4J100BC49P ,  4J100BC52Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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