特許

J-GLOBAL ID：200903006149687436

プラズマCVD装置および酸化膜の製造方法

発明者： 高鍋 昌一 ,  石黒 英人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298019
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 セルフクリーニングを周期的に行ってもゲート酸化膜の膜厚変動を抑制することができるプラズマCVD装置およびLCDの製造方法を提供する。【解決手段】 このプラズマCVD装置は、基板(1)に対して成膜処理が行われる成膜チャンバ(45)と、成膜チャンバに原料ガスを供給する原料ガス供給路(37)と、原料ガス供給路から供給された原料ガスを成膜チャンバ内に放散する原料ガス放散口(33)と、原料ガス放散口の温度を調節する温度調節手段(34,35,38)とを備える。

請求項（抜粋）：

基板に対して成膜処理が行われる成膜チャンバと、前記成膜チャンバに原料ガスを供給する原料ガス供給路と、前記原料ガス供給路から供給された前記原料ガスを前記成膜チャンバ内に放散する原料ガス放散口と、前記原料ガス放散口の温度を調節する温度調節手段とを備える、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/313 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  G09F 9/313 Z ,  H01L 21/316 X ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 S

Fターム (93件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092NA30 ,  2H092PA06 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094GB10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AF07 ,  5F045BB01 ,  5F045CA15 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EC09 ,  5F045EE01 ,  5F045EE07 ,  5F045EE11 ,  5F045EF05 ,  5F045EG05 ,  5F045EH13 ,  5F045GB05 ,  5F058BA20 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

• プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033877   出願人：日本電気株式会社
• シリコン酸化膜の成膜方法およびCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217037   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• 薄膜デバイスの絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019199   出願人：日新電機株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-187212   出願人：松下電器産業株式会社
• プラズマCVD装置とそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-115370   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-329923   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• CVD成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354603   出願人：東京エレクトロン株式会社