特許
J-GLOBAL ID：200903087285562094
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360412
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173621
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】光学モードを閉じ込める方法、又は材料を改善したレーザダイオードを提供する。【解決手段】新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。レーザは、導波路層(132、140)、及び/又はクラッド層(128、136)において、インジウムを用いる。InGaN導波路層、又はクラッド層は、非常に小さい損失で光閉じ込めを促進することがわかった。さらに、InGaN導波路層、又はクラッド層の利用は、導波路層と活性領域116との間の格子不整合を減少させるため、活性領域のエピ層の構造整合性を高めることもできる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体レーザであって、
インジウム、ガリウム、及び窒化物を含有する少なくとも1個の量子井戸を有する活性領域であって、第一面及び第二面を有する前記活性領域と、
前記第一面に隣接する第一導波路層であって、インジウム、ガリウム、及び窒化物を有する前記第一導波路層と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F173AA08
, 5F173AF03
, 5F173AF15
, 5F173AF35
, 5F173AF52
, 5F173AF53
, 5F173AF55
, 5F173AG12
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AJ04
, 5F173AK22
, 5F173AP64
, 5F173AR25
, 5F173AR26
, 5F173AR81
出願人引用 (2件)
-
米国特許出願公開第2004/0184496号明細書
-
米国特許出願公開第2004/0184497号明細書
審査官引用 (9件)
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