特許
J-GLOBAL ID：200903006251269908
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148343
公開番号（公開出願番号）：特開2005-332893
出願日： 2004年05月18日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】シリコンチップを貫通する配線と同等の配線であって容易なプロセスで安価に形成できる配線層を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】複数の樹脂層(15,17,19,23)が積層して基板10a上に第1絶縁層が形成されており、電子回路に接続するように第1絶縁層中に埋め込まれて第1配線層(16,18,20,24)が形成されている。ここで、第1絶縁層を構成する樹脂層の一部(15)と一体に形成された樹脂からなり、基板10aの側面を被覆して基板側部絶縁層15aが形成されており、基板10aの厚さ方向に基板側部絶縁層15aを貫通して第1配線層(16,18,20,24)に接続して基板側部配線層1が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子回路が設けられた半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、
基板と、
複数の樹脂層が積層して前記基板上に形成された第1絶縁層と、
前記電子回路に接続するように前記第1絶縁層中に埋め込まれて形成された第1配線層と、
前記第1絶縁層を構成する樹脂層の一部と一体に形成された樹脂からなり、前記基板の側面を被覆して形成された基板側部絶縁層と、
前記基板の厚さ方向に前記基板側部絶縁層を貫通して前記第1配線層に接続して形成された基板側部配線層と
を有する半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 N
, H01L23/12 B
