半導体装置及びその製造方法、半導体ウエハ及びそれにより製造される半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304720
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110951
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体装置の裏面電位を固定するための導電層が設けられるエッジ領域を狭くする。【解決手段】素子形成領域110を囲むエッジ領域120を有するベース用半導体基板201と、素子形成領域110のベース用半導体基板201上に設けられる埋め込み酸化膜202と、埋め込み酸化膜202上に設けられる素子形成用半導体基板203と、素子形成用半導体基板203及び埋め込み酸化膜202の第3の面とエッジ領域120のベース用半導体基板201の一部上とに設けられる絶縁膜207と、電極パッド205上と絶縁膜207上とエッジ領域120のベース用半導体基板201上とに設けられる導電層210と、素子形成領域110の導電層210上に設けられるポスト211と、ポスト211の第1の面に設けられる球状電極212と、ポスト211の第3の面と導電層210を封止する封止部材213と、を有するものである。

請求項（抜粋）：

素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板と、前記素子形成領域の前記ベース用半導体基板の第1の面に設けられる埋め込み酸化膜と、前記埋め込み酸化膜の第1の面に設けられる素子形成用半導体基板と、前記素子形成用半導体基板上と、前記埋め込み酸化膜の第3の面と、前記エッジ領域のベース用半導体基板の第1の面とに設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜上と、前記エッジ領域のベース用半導体基板の第1の面とに設けられる導電層と、前記導電層と電気的に接続されるように設けられる導電性柱状部材と、前記導電性柱状部材の第3の面と、前記導電層とを封止する封止部材とにより構成される半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/12 , H01L 21/56 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 21/60 , H01L 23/12 501 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (8件)：

H01L 27/12 C , H01L 21/56 R , H01L 23/12 501 P , H01L 21/88 T , H01L 21/90 D , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 604 H , H01L 23/30 B

Fターム (27件)：

4M109AA02 , 4M109BA07 , 4M109CA04 , 4M109CA21 , 5F033GG03 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033TT07 , 5F033VV07 , 5F061AA02 , 5F061BA07 , 5F061CA04 , 5F061CA21 , 5F061CB05

引用特許：

審査官引用 (11件)

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-057624 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
埋め込みSOI構造への電気接点を有する半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091319 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052511 出願人：株式会社東芝

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