特許
J-GLOBAL ID：200903075951627548
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117307
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318323
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップのサイズ外にも半田ボールによる接続端子を備えた半導体装置であって、半導体チップと再配線とを確実に導電接続し、且つ、複数の半導体チップを一括して処理する。【解決手段】 ベース板41上の接着層42上に複数の半導体チップ21を接着する。そして、複数の半導体チップ21に対して、絶縁膜26、39、下地金属層31、32、再配線32、36、突起電極33、37および半田ボール38の形成を一括して行う。この場合、下地金属層31、35はスパッタにより形成し、再配線32、36は電解メッキにより形成する。そして、ベース板41および接着層42を取り除いた後に、各半導体チップ21間で絶縁膜26、39を切断する。なお、絶縁膜26のスルーホール28内に形成された突起電極33下に半田ボールを形成するようにしてもよい。また、同種または異種の半導体装置を複数積層するようにしてもよい。
請求項（抜粋）：
一面上に接続パッドを有する半導体チップと、該半導体チップの少なくとも一面および周側面を覆うように設けられ、前記半導体チップの周側面より外側に開口部を有する絶縁膜と、該絶縁膜の上面に前記半導体チップの接続パッドに接続されて設けられ、前記絶縁膜に形成された開口部に対応するパッド部を有する再配線と、前記再配線のパッド部に設けられた突起電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
H01L 23/12 501 C
, H01L 23/12 501 P
