特許
J-GLOBAL ID：200903001452946434
窒化物半導体成長方法および窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018063
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118326
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 多結晶AlGaNの形成を避けることにより、高性能な窒化物半導体六角柱ファセットレーザを製造することができる窒化物半導体成長方法を提供すること。平坦な垂直ファセット面を有し、電流注入の際の電流リークなどがない高性能な窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板1上に窒化物半導体層2,3,4を形成する第一工程と、窒化物半導体層2,3,4の上に開口部を有するマスク材5を形成する第二工程と、開口部の直下の窒化物半導体層2,3,4と基板1のマスク材5側の一部をエッチング除去する第三工程と、マスク材5を除去する第四の工程と、窒化物半導体層6-11を第三工程のエッチングの深さより少ない膜層だけ結晶成長法により形成して基板1上に残った窒化物半導体層2,3,4上面と側面と、エッチング除去された基板1表面とで分離して形成する第五工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上の第一の半導体層の表面に、開口部を有するマスク材を形成する第一の工程と、前記開口部の直下の前記第一の半導体層および前記基板の前記マスク材側の一部をエッチングにより除去する第二の工程と、前記エッチングにより形成した前記第一の半導体層の加工端面上に、前記基板の主方位に対して垂直な表面の方位を有する第二の半導体層を形成する第三の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体成長方法。
IPC (4件)：
H01S 5/16
, C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01S 5/10
H01S 5/16
, C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01S 5/10
4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030HA03
, 4K030HA04
, 4K030LA11
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF02
, 5F045CA12
, 5F045DA55
, 5F073AA74
, 5F073AA86
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073EA23
, 5F073EA24
, 5F073EA28
