特許
J-GLOBAL ID：200903006373665804

薄膜磁気デバイスおよびその製造方法

発明者：
政井 琢

政井 琢 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047172
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294882
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能な薄膜磁気デバイス、を提供する。【解決手段】磁性膜14のうちの複数のスリット16に挟まれた帯状領域において、この帯状領域の幅方向(X磁区方向、磁化容易軸Me方向)を長手方向とする磁区14Deを、帯状領域の長手方向(Y軸方向)に沿って並んでいるようにする。磁化容易軸Meとコイル13とが互いに略平行となっている場合および互いに略直交となっている場合のいずれにおいても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。なお、磁性膜14の磁化容易軸Meとコイル13とが略直交する領域に対応してスリット16を形成すると共に、このスリット16を磁化容易軸Meと直交する方向(磁化困難軸Mh方向)のみに延在させるようにするのが望ましい。【選択図】図18
請求項（抜粋）：
薄膜コイルと、 前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜と を備え、 前記帯状磁性膜は、この帯状磁性膜の長手方向に沿って並んだ複数の磁区を有し、 前記磁区の長手方向が、前記帯状磁性膜の幅方向と一致している ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。
IPC (2件)：
H01F 17/04 ,  H01F 41/04
FI (3件)：
H01F17/04 F ,  H01F17/04 A ,  H01F41/04 B
Fターム (5件)：
5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070BA12 ,  5E070CB02 ,  5E070CB12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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