特許
J-GLOBAL ID：200903089237441822

SOIウエーハの製造方法

発明者：
吉田 和彦

吉田 和彦 について

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松峯 昌男

松峯 昌男 について

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竹野 博

竹野 博 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

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長野電子工業株式会社

長野電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-112044
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318102
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するSOIウエーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるSOIウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を1×1012atoms/cm2以上1×1015atoms/cm2未満として行うSOIウエーハの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、 シリコン単結晶からなるベースウエーハとボンドウエーハを準備する工程と、 前記ベースウエーハと前記ボンドウエーハの少なくとも一方の表面に絶縁膜を形成する工程と、 前記ベースウエーハまたは前記ボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程と、 前記イオン注入した表面を前記絶縁膜を介して前記ベースウエーハと前記ボンドウエーハとを貼り合わせる工程と、 貼り合わされた前記ボンドウエーハを薄膜化する工程と を備えるSOIウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を1×1012atoms/cm2以上1×1015atoms/cm2未満として行うことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/322
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 Z ,  H01L21/322 J ,  H01L21/322 R
Fターム (8件)：
5F032AA91 ,  5F032CA00 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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