特許
J-GLOBAL ID：200903031884950773
薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415259
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093974
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタ素子活性層製造に使用される化合物半導体材料の提供。【解決手段】 ドーパントをドープしたII-VI族化合物で組成され、該ドーパントはアルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属(Transitional Metal)からなる群より選択され、該ドーパントが該材料中で占めるモルパーセントは0.1%から30%とされる。本発明の化合物半導体材料で製造した薄膜トランジスタ素子も併せて提示する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタ素子活性層の製造に応用される化合物半導体材料であり、ドーパントをドープしたII-VI族化合物で組成され、該ドーパントは、アルカリ土金属、III A族元素、IV A族元素、VA族元素、VIA族元素、遷移金属で組成された群より選択され、該ドーパントの材料中に占めるモルパーセントは0.1%から30%とされることを特徴とする、薄膜トランジスタ素子活性層の半導体材料。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 618F
5F110AA11
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF05
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG04
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG53
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK33
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (14件)
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