特許
J-GLOBAL ID：200903006661890588
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332174
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226515
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 通常の高温工程ではなく、低温工程によっても、漏れ電流の発生を抑制しかつ素子動作の安定性を向上し得るようにする。【構成】 薄膜トランジスタは、絶縁性基板40とポリシリコン膜42とゲート電極45と金属酸化膜46と障壁層49とを備えている。ポリシリコン膜は、1対のソース/ドレイン領域42aと、ソース/ドレイン領域の間に形成されたチャネル領域42bと、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域の間のLDD領域42cとを有している。ゲート絶縁膜は、ポリシリコン膜上に形成されている。ゲート電極は、チャネル領域の上方において絶縁膜上に形成されており、金属より構成されている。金属酸化膜は、LDD領域の上方においてゲート電極の側壁に隣接して形成されている。障壁層はゲート電極上に形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、1対のソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域の間に形成されているチャネル領域と、前記ソース/ドレイン領域及びチャンネル領域の間の不純物領域とを有するポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域の上方において前記絶縁膜上に形成されており、金属より構成されたゲート電極と、前記不純物領域の上方において前記ゲート電極の側壁に隣接して形成されている金属酸化膜と、前記ゲート電極上に形成されている障壁層と、を備えた薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
