半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179742
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023042
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】電気的特性の向上を図り得るとともに、容易に形成可能なキャパシタ素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタ3などが形成された半導体基板7の表面を層間絶縁膜6で覆った後、ルテニウムからなるキャパシタ用下部電極11aを形成する。下部電極11aの露出表面を覆うように、ペロブスカイト型結晶構造のAサイトを形成するSrの酸化物の層15を設ける。Sr酸化物層15の露出表面を覆うように、キャパシタ誘電体膜16の下層誘電体膜16aとなる、ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物からなる第1層目のSTO膜17aを成膜する。STO膜17aの露出表面を覆うように、上層誘電体膜16bとなる第2層目のSTO膜17bを成膜する。上層誘電体膜16bの露出表面上にルテニウムからなるキャパシタ用上部電極11bを形成し、キャパシタ素子10を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に選択的に設けられたキャパシタ用下部電極と、前記基板および前記下部電極の表面を覆うように設けられ、組成式がABO3-d,0≦d≦1で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物の単層構造ないしは複数層の積層構造からなるキャパシタ誘電体膜と、このキャパシタ誘電体膜の表面上に設けられたキャパシタ用上部電極と、を具備してなり、前記キャパシタ誘電体膜は、その前記下部電極との界面が前記ペロブスカイト型結晶構造のAサイトを形成する金属元素を主成分とする酸化物の層により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/8242 , C23C16/40 , H01L27/105 , H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/10 651 , C23C16/40 , H01L27/10 444B

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030BA54 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 5F083AD24 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA27 , 5F083GA29 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-003633 出願人：日本電気株式会社
強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351916 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-066466 出願人：松下電器産業株式会社

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