特許
J-GLOBAL ID：200903006822824610
表面加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128445
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330048
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。【解決手段】金属膜エッチング時に試料温度を100°C以上に保って処理し金属膜のエッチング速度を速める。さらに、多結晶シリコン膜のエッチング速度の抑制や、サイドエッチングを防止するために、ハロゲン元素を含むガスに酸素ガスを添加する。また、多結晶シリコン膜エッチング時のシリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために、少なくとも金属膜エッチング条件と多結晶シリコン膜エッチング条件を分けて処理する。
請求項（抜粋）：
真空容器とその中にプラズマを発生させる手段、及び該プラズマにより表面加工される試料を設置する試料台と該試料台の温度を制御する温調機構及び、前記試料台に高周波電圧を印可するための電源からなる表面加工装置を用いて、半導体基板上に堆積された少なくとも金属膜と半導体膜からなる多層膜からなる試料の加工において、該金属膜加工時に試料温度を100°C以上に保つことを特徴とする表面加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H05H 1/46 A
