特許

J-GLOBAL ID：200903006827343343

ポジ型レジスト組成物

発明者： 佐々木 知也
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067010
公開番号（公開出願番号）：特開2004-279471
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】160nm以下、具体的にはF2エキシマレーザー光(157nm)の光源使用時に十分な透過性を示し、塗布均一性、耐ドライエッチング性、ラインエッジラフネス及び現像性能に優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の繰り返し単位を含有する、酸によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(B) 活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A) 下記一般式(Z)で示される基を少なくとも2つ有する繰り返し単位と、下記一般式(II)から式(VI)で示される繰り返し単位のうち少なくとも1つとを含有する、酸によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、 (B) 活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物、 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (12件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 含フッ素化合物、含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、それらを用いたレジスト材料とパターン形成方法、及び含フッ素化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045329   出願人：セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-032675   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-233045   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104982   出願人：住友化学工業株式会社
• 含フッ素共重合体を用いたポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-010909   出願人：セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128529   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Design and Study of Resist Materials for 157nm Lithography