特許
J-GLOBAL ID：200903068108675070
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032675
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244439
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【解決手段】式(1a)又は(1b)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1は酸不安定基、密着性基、又はフッ素化されたアルキル基。R2は水素原子、フッ素原子、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R3及びR4は単結合、又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R5は水素原子又は酸不安定基。aは1又は2。0<U11<1、0<U12<1。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における透明性を損なうことなく、アルカリ溶解性コントラストと優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1a)又は(1b)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
IPC (8件)：
C08F228/02
, C08F212/14
, C08F220/12
, C08F220/26
, C08F232/08
, G03F7/004
, G03F7/039
, H01L21/027
C08F228/02
, C08F212/14
, C08F220/12
, C08F220/26
, C08F232/08
, G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CB55
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA12
, 4J100AB07S
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08T
, 4J100AP01P
, 4J100AR11R
, 4J100AR33R
, 4J100BA04Q
, 4J100BA04R
, 4J100BA04S
, 4J100BA15R
, 4J100BA55P
, 4J100BB07P
, 4J100BB07R
, 4J100BB07S
, 4J100BB17P
, 4J100BB17Q
, 4J100BB17R
, 4J100BB17T
, 4J100BC03P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC43P
, 4J100BC43Q
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100JA38
