特許
J-GLOBAL ID：200903006866405852
電界効果型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318635
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150263
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、素子特性が優れ、同時に素子特性の揃ったものを再現性よく製造しうる電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 アンドープInGaAsまたはアンドープGaAsからなるチャネル層3と、ドープされたInGaPからなる電子供給層4と、リセス内に設けられたゲート電極11とを有するリセス型電界効果型トランジスタにおいて、前記電子供給層の上にドープまたはアンドープAlGaAsからなるショットキ層5が設けられ、このショットキ層がリセスの底面を構成し、このショットキ層に接して前記ゲート電極11が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
請求項（抜粋）：
アンドープInGaAsまたはアンドープGaAsからなるチャネル層と、ドープされたInGaPからなる電子供給層と、リセス内に設けられたゲート電極とを有するリセス型電界効果型トランジスタにおいて、前記電子供給層の上にドープまたはアンドープAlGaAsからなるショットキ層が設けられ、このショットキ層がリセスの底面を構成し、このショットキ層に接して前記ゲート電極が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/3065
H01L 29/80 H
, H01L 21/302 J
, H01L 29/80 F
