特許
J-GLOBAL ID：200903006902221631

窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法および製造方法

発明者：
毛利 裕一

毛利 裕一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200086
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322944
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 長時間の使用によっても光出力低下が少なく信頼性の高い窒化ガリウム系半導体発光素子を作製するために適した発光素子の評価方法および製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にn型層、発光層、p型層を有する積層構造を含み、積層構造には1つ以上のGaN層を含む窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法であって、ラマン散乱分光法を用い、積層構造の全層にわたる平均的なE2フォノンモードのラマンシフト量を測定することにより、積層構造の全層にわたる平均的なa軸格子歪み量を評価することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板上にn型層、発光層、p型層を有する積層構造を含み、前記積層構造には1つ以上のGaN層を含む窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法であって、 ラマン散乱分光法を用い、前記積層構造の全層にわたる平均的なE2フォノンモードのラマンシフト量を測定することにより、前記積層構造の全層にわたる平均的なa軸格子歪み量を評価することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法。
IPC (3件)：
H01S5/00 ,  G01M11/00 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01S5/00 ,  G01M11/00 T ,  H01S5/343 610
Fターム (9件)：
2G086EE03 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173ZM03 ,  5F173ZP05 ,  5F173ZP13 ,  5F173ZQ05
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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