特許
J-GLOBAL ID：200903006928004795
半導体処理中の電解腐食を防止するための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-002685
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218573
出願日： 2009年01月08日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】半導体ウェット洗浄処理において、基板の腐食を防止した方法および装置の提供。【解決手段】半導体基板(1)を洗浄するための方法および装置に関し、基板の表面の上に、第1の導電性または半導体材料を含み、第2の導電性または半導体材料の層(4)により囲まれた少なくとも1つの構造(5)を含み、この層は本質的に表面の全体に渡って拡がり、第1および第2の材料は物理的に接続され、この方法は、基板を提供する工程と、基板の表面に面するように対向電極(20)を配置する工程と、表面と電極との間の空間に電解溶液(21)を供給する工程であって、基板表面、洗浄溶液(21)、および対向電極(20)により形成されたガルバニ電池中で、対向電極がアノードとして働く工程とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板(1、13)を洗浄する方法あって、半導体基板は基板の表面上に、
第1の導電性または半導体材料を含む、少なくとも1つの構造(5)と、
表面の全体に渡って本質的に拡がる、第2の導電性または半導体材料の層(4)であって、第1と第2の材料は物理的に接続され、少なくとも1つの構造は層(4)の上に存在し、または層(4)は少なくとも1つの構造に隣接した層と、を含み、
かかる方法は、
基板(1)を提供する工程と、
基板の表面に面するように対向電極(20、30)を配置する工程と、
表面と電極との間の空間に電解溶液(21)を供給する工程であって、基板表面、洗浄溶液(21)、および対向電極(20、30)により形成されたガルバニ電池中で、対向電極がアノードとして働く工程と、を含む方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 643A
, H01L21/304 642A
, H01L21/304 648Z
5F157AA03
, 5F157AA22
, 5F157AA23
, 5F157AA28
, 5F157AA63
, 5F157AA64
, 5F157AA93
, 5F157AB02
, 5F157AB14
, 5F157AB33
, 5F157AB42
, 5F157AB90
, 5F157AC01
, 5F157AC26
, 5F157BB02
, 5F157BB11
, 5F157CE07
, 5F157DB57
