特許
J-GLOBAL ID：200903007071084710

COF用配線基板とその製造方法、並びに半導体装置

発明者：
小川 茂樹

小川 茂樹 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山パッケージマテリアルズ株式会社

住友金属鉱山パッケージマテリアルズ株式会社 について


代理人 (2件)： 篠原 泰司 ,  藤中 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-129587
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288273
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】高い放熱性を有するCOF用配線基板を提供する。 【解決手段】絶縁フィルム1の片側の面に、搭載される半導体素子7の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード11と、COFを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード12とを有する配線13が設けられたCOF用配線基板の、半導体チップ7が搭載される予定の領域14内で、インナーリード11が存在しない部分に、放熱板15が配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁フィルムの片側の面に配線が形成されていて、該配線は、半導体素子の電極パッドに接合するためのインナーリードと、外部基板に接合するためのアウターリードとを有しており、前記半導体素子が搭載されるべき領域内で前記インナーリードが存在しない部分に第1の放熱板が配置され、かつ前記半導体素子が搭載される領域外で前記配線が存在しない部分に第2の放熱板が配置されており、かつ前記第1と第2の放熱板が連結されているCOF用配線基板において、少なくとも前記第1と第2の放熱板の何れかに複数個の開口が設けられていることを特徴とするCOF用配線基板。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (1件)：
H01L21/60 311W
Fターム (6件)：
5F044MM03 ,  5F044MM16 ,  5F044MM21 ,  5F044MM25 ,  5F044MM48 ,  5F044RR10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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