特許
J-GLOBAL ID：200903007228201340
3次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-519169
公開番号（公開出願番号）：特表2008-544571
出願日： 2006年06月27日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
本発明は、フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供し、入射角マージンを確保して小型カメラモジュールでもズーム機能の搭載が可能なようにするイメージセンサ用分離型単位画素及びその製造方法に関する。本発明に係る3次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオードおよび、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッドを備える第1のウエハと、前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッドを備える第2のウエハと、前記第1のウエハのパッドと前記第2のウエハのパッドとを接続する連結手段と、を含む。本発明によれば、フォトダイオードだけで上側ウエハを製造し、フォトダイオード以外の画素領域を下側ウエハとして製造することによって、製造工程を簡略化できる。また、上側ウエハにはトランジスタが存在しないため、光との相互作用に影響がなく、コスト低減が図られる。
請求項（抜粋）：
3次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素であって、
半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオードおよび、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッドを備える第1のウエハと、
前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッドを備える第2のウエハと、
前記第1のウエハのパッドと前記第2のウエハのパッドとを接続する連結手段と、を含む3次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118BA19
, 4M118CA03
, 4M118CB14
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA29
, 4M118HA30
