特許
J-GLOBAL ID：200903007414505163

窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-149233
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013467
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】サファイア基板上に低温緩衝層を介してGaN系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するGaN系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。【解決手段】本発明では、サファイア基板100上に設ける、基板100と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層101にあって、その単結晶層を、サファイアのa軸に[2.-1.-1.0.]方位を平行にして画一的な方向に配向したAlをGaに比べて富裕に含む六方晶のAlXGaYN(0.5<X≦1、X+Y=1)単結晶から構成する、ことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板の(0001)(C)面と接合する近傍の領域をアズ-グローン状態で単結晶層とする、低温で成長させたIII族窒化物材料からなる低温緩衝層が設けられ、その低温緩衝層上に、窒化ガリウム(GaN)系半導体層からなる活性層を備えてなる窒化ガリウム系半導体積層構造体において、低温緩衝層の内部にアズ-グローン状態で含まれている単結晶層が、サファイア基板の(0001)底面格子の[2.-1.-1.0.]方向に、[2.-1.-1.0.]方向を平行とする六方晶のアルミニウム(Al)をガリウム(Ga)より主体的に含むAlXGaYN(0.5<X≦1,X+Y=1)結晶から構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体積層構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (42件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF05 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平2-288388号公報
  • 単結晶成長用基体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-038818   出願人：京セラ株式会社
  • 特開平2-81484号公報
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM