特許
J-GLOBAL ID：200903007678097950
シリコン膜及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-274437
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093256
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】膜厚の大きい高品位のシリコン膜及びそれを形成するための簡易な方法を提供すること。【解決手段】シリコン膜は、複数形成されたドーム形状からなる部分を有することを特徴とする。 上記シリコン膜の形成方法は、シリコン前駆体又はシリコン前駆体を含有する溶液をパターン状に塗布し、次いで熱及び/又は光で処理する工程を含むものである。【選択図】なし。
請求項（抜粋）：
複数形成されたドーム形状からなる部分を有することを特徴とするシリコン膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/208 L
, H01L31/04 V
5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA01
, 5F051CA07
, 5F051CA15
, 5F051CA20
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB24
, 5F051DA01
, 5F051DA04
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051GA03
, 5F053AA50
, 5F053DD01
, 5F053GG02
, 5F053GG03
, 5F053GG10
, 5F053LL05
, 5F053PP03
, 5F053PP20
, 5F053RR05
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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