特許
J-GLOBAL ID：200903048297056881

シリコン曲面体の製造方法、シリコン曲面体、デバイス及びデバイスの製造方法

発明者：
青木 敬

青木 敬 について

, 
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324714
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089239
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 本発明の目的は、低コストで、プロセスの簡便な曲面状半導体等の材料となるシリコン曲面体の製造方法、優れた性能を有するシリコン曲面体、該シリコン曲面体を備えたデバイス、及び該デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明は、シラン化合物を含有する液体材料を用いることを特徴とするシリコン曲面体の製造方法を提供する。また、本発明は、前記のシリコン曲面体の製造方法により形成されたシリコン曲面体、及び該シリコン曲面体を材料として用いたデバイスを提供する。更に、本発明は、前記シリコン曲面体の製造方法を使用することを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シラン化合物を含有する液体材料を用いることを特徴とするシリコン曲面体の製造方法。
IPC (5件)：
C30B29/06 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786
FI (6件)：
C30B29/06 501Z ,  H01L21/208 Z ,  H01L29/06 601B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 626Z
Fターム (45件)：
4G077AA01 ,  4G077AA10 ,  4G077BA04 ,  4G077CB02 ,  4G077CB06 ,  4G077CB08 ,  4G077CB10 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EE01 ,  4G077EE10 ,  4G077HA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF10 ,  5F053HH01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD30 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ17 ,  5F110HL02 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM