特許
J-GLOBAL ID:200903051337873196
シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大島 正孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-245947
公開番号(公開出願番号):特開2003-055556
出願日: 2001年08月14日
公開日(公表日): 2003年02月26日
要約:
【要約】【課題】 CVD法やスパッタリング法等の煩雑な真空系装置を必要とする方法とは異なり、液体原料を簡単な操作や装置で、基板上にシリコン膜およびシリコン酸化膜を効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできるシラン組成物およびそれを用いてシリコン膜やシリコン酸化膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 ポリシラン化合物並びにシクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有するシラン組成.物。このシラン組成物を基板上に塗布し、形成された塗膜を非酸化性雰囲気または酸化性雰囲気下で処理して、それぞれシリコン膜またはシリコン酸化膜を形成する。
請求項(抜粋):
(A)式SinRmここで、nは3以上の整数であり、mはn〜(2n+2)の整数でありそしてm個のRは互いに独立に水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子である、但しm個のRの全てが水素原子であり且つm=2nであるあとき、nは7以上の整数であるものとする、で表されるポリシラン化合物 並びに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物。
IPC (7件):
C08L 83/16
, C08G 77/60
, C08K 5/549
, C09D 1/00
, C09D183/16
, H01L 21/208
, H01L 21/316
FI (7件):
C08L 83/16
, C08G 77/60
, C08K 5/549
, C09D 1/00
, C09D183/16
, H01L 21/208 Z
, H01L 21/316 C
Fターム (42件):
4J002CP211
, 4J002EX006
, 4J002GP00
, 4J002GQ00
, 4J035CA02N
, 4J035CA021
, 4J035CA022
, 4J035JA01
, 4J035LB20
, 4J038DL011
, 4J038LA02
, 4J038MA14
, 4J038NA20
, 4J038NA21
, 4J038NA27
, 4J038PA17
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 4J038PC03
, 4J038PC08
, 5F053AA50
, 5F053BB60
, 5F053DD01
, 5F053FF01
, 5F053GG02
, 5F053GG03
, 5F053LL05
, 5F053PP03
, 5F053PP05
, 5F053PP20
, 5F053RR05
, 5F053RR13
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF46
, 5F058BF47
, 5F058BH03
, 5F058BH17
, 5F058BJ02
, 5F058BJ10
引用特許:
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